RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
69
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2832
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link