RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
69
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3413
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link