RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
69
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3149
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link