RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
69
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2818
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link