RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
69
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3491
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link