RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
69
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
57
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2328
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link