RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
68
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
2148
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link