RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
64
Около -237% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,869.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,477.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,869.1
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
697
3521
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Vasekey 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link