Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 33

Около 27% меньшая задержка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.7 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 10.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 33
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 15.7
Скорость записи, Гб/сек

10.6 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 2634

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9905702-012.A00G 8GB

Kingston 9905702-012.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

модули RAM