RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB против Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
39
Около -5% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2264
2179
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link