RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
43
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
43
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
11.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2098
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link