RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3692
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link