RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3300
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link