RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
38
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
21.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3778
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston HX316C10F/8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link