RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3845
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link