RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
53
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
53
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2301
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link