RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston 9905744-027.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3168
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link