RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston 9965596-019.B01G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
7.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
7.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1868
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link