RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2865
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link