RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2833
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link