RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2711
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link