RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
71
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
71
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1767
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link