RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
47
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3217
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link