RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3211
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link