RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
47
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
18
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
19.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3421
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link