RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2764
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link