RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
47
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2518
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link