RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.2
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
12
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1933
2256
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link