RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3741
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kllisre 0000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link