RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3357
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link