Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 45

Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.6 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.8 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 36
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 13.6
Скорость записи, Гб/сек

7.8 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 2690

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9965600-018.A00G 16GB

Kingston 9965600-018.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

модули RAM