Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 45

Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.8 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 38
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 14.8
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 2825

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

модули RAM

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

модули RAM