RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3870
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lenovo 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link