Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 45
    Около -80% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 12
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR5
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1939 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения