RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2581
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link