RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
2527
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link