RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    44 left arrow 45
    Около 2% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13 left arrow 11.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.2 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 45
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.0 left arrow 11.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 8.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2069 left arrow 2077

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
модули RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
модули RAM