RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
45
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2937
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link