RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
22.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3830
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link