RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3237
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link