RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3663
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link