RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
10.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2124
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link