RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston 9905702-120.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3199
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link