RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3660
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link