RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
54
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1904
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link