RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
45
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2490
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link