RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1550
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link