RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB против Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
6.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
8500
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
31
45
Скорость чтения, Гб/сек
6.6
12.3
Скорость записи, Гб/сек
3.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
12800
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
921
1992
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link