Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

48 80

Около 40% меньшая задержка

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.1 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.4 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 80
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 14.1
Скорость записи, Гб/сек

5.9 7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 1564

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kingston 9905743-044.A00G 16GB

Kingston 9905743-044.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

модули RAM

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

модули RAM