RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
48
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
37
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
9.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2082
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link